Based on the “amplifying” idea,simple circuits for measuring the gate delay,dynamic power,leakage power,and their variations for a 90nm process are designed.
分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用“放大”的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电路采用较短的反相器链可以得到超深亚微米工艺下门延迟波动特性曲线。
In this paper, a lumped RLC interconnect tree for gate output is modeled with a simple circuit segment, and the gate load delay is then calculated.
利用一段简单的电路模型对门输出端的集总RLC互连树建模并计算门负载延迟 采用二叉树的数据结构表示集总RLC互连树 ,从而快速计算互连树入端导纳的分量 ,进一步导出Π RLC模型中的R1,L1,C1和C2 参数 ,计算出斜坡输入时的门负载延迟 实验证明 ,应用文中模型计算出的门负载延迟与Spice延迟偏差不超过 3% ,因此该模型适合设计验证中门延迟的近似计
