The high frequency equivalent model of Bipolar junction MOS field effect transistor (BJMOSFET) was proposed.
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性。
After analyzing the advantage and disadvantage of the MOSFET and BJT a new kind of device BJMOSFET is introduced, which has large capacity of current and large power output just like the BJT, and the large input resistant just like (MOSFET.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。
Furthermore, the oscillator should use discrete bipolar and FET devices in the circuits recommended by the crystal manufacturers.
此外，振荡器应该使用被晶体生产厂商建议的分立的双极型场效应晶体管输出。
unipolar field effect type transistor
单极场效应型晶体管
bipolar fet integrated circuit
双极 场效应晶体管集成电路
vertical junction fet
垂向结型场效应晶体管
normally off fet
增强型场效应晶体管
junction gate field effect transistor
面结型栅场效应晶体管
junction gate fet
结型栅场效应晶体管
junction type field effect transistor
面结型场效应晶体管结型场效应晶体管
equivalent circuit of bipolar transistor
双极晶体管等效电路
double diffused mos fet
dmos场效应晶体管
metal insulator semiconductor fet
mis场效应晶体管
Effects of Stress on Bipolar Transistor Performance Parameters
应力对双极型晶体管参数性能的影响
heterojunction bipolar transistor
异质结双极型晶体管
power MOSFET gate drive circuit
功率场效应晶体管栅极驱动电路
Pentacene field-effect transistors with cheap electrode
一种廉价电极的并五苯场效应晶体管
