The high frequency equivalent model of Bipolar junction MOS field effect transistor (BJMOSFET) was proposed.
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性。
After analyzing the advantage and disadvantage of the MOSFET and BJT a new kind of device BJMOSFET is introduced, which has large capacity of current and large power output just like the BJT, and the large input resistant just like (MOSFET.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。
enhancement mode fet integrated circuit
增强型场效应晶体管集成电路
normally off fet
增强型场效应晶体管
bipolar fet integrated circuit
双极 场效应晶体管集成电路
Advances in organic field-effect transistors and integrated circuits
有机场效应晶体管及其集成电路研究进展
enhancement mode junction fet
增强型结式场效应晶体管
enhancement type schottky barrier fet
增强型肖特基势垒场效应晶体管
planar IC transistor
平面型集成电路晶体管
In the 1960s the IC market was broadly on bipolar transistors.
六十年代集成电路市场主要为双极型晶体管。
Monolithic Integration of GaAs Enhancement/depletion-mode PHEMTs
单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
double epitaxial IC transistor
双外延集成电路晶体管
power MOSFET gate drive circuit
功率场效应晶体管栅极驱动电路
field-effect-transistor resistor
场效应晶体管电阻器
vertical junction fet
垂向结型场效应晶体管
junction gate field effect transistor
面结型栅场效应晶体管
junction gate fet
结型栅场效应晶体管
unipolar field effect type transistor
单极场效应型晶体管
junction type field effect transistor
面结型场效应晶体管结型场效应晶体管
